Description du projet

Présentation

Avec la miniaturisation incessante des semi-conducteurs, le microscope électronique en transmission (MET) est devenu un outil essentiel pour leur caractérisation.

JEOL a développé le nouveau modèle JEM-ACE200F qui répond aux demandes de cette industrie :

  • l’observation morphologique,
  • la mesure des dimensions fondamentales,
  • l’analyse élémentaire,
  • l’analyse des contraintes locales,
  • la mesure de la concentration en dopant.

L’industrie du semi-conducteur demande l’acquisition rapide et stable de données à haute résolution pour l’observation morphologique, la mesure des dimensions fondamentales et l’analyse élémentaire, afin d’obtenir une remontée d’informations dans le processus de fabrication.

Le JEM-ACE200F peut fonctionner selon des formules pré-programmées. Les pré-programmes permettent un fonctionnement automatisé et de générer des données automatiquement.

Comme le JEM-ACE200F hérite des technologies logicielles du microscope haut de gamme JEM-ARM200F et du MET non-corrigé multifonctions JEM-F200, ce nouveau microscope électronique en transmission à haute tension offre une formidable stabilité et de grandes capacités automatiques d’analyse avec un nouveau design extérieur sophistiqué.

Haute tension

  • Acquisition rapide de données grâce aux fonctions de réglage automatique du microscope (MET / STEM).
  • La courte durée de pré-évacuation du porte-échantillon permet un démarrage rapide de l'observation dans les 30 secondes suivant l'insertion du porte-échantillon, avec un vide optimum pour le MET.

Interface conviviale

  • Interface graphique sophistiquée pour fonctionnement quotidien aisé du microscope.
  • Toutes les opérations peuvent être réalisées avec la souris.

Formules faciles à programmer et à changer

  • La formule du processus de travail peut être programmée avec des outils intuitifs.
  • Le processus du travail peut être programmé en divers langages de programmation normalisés.

Conception respectueuse de l'environnement

  • Opération à distance.

CARACTERISTIQUES

Point image : 0.21 nm
Image à réseau : 0.10 nm
Information limite : 0.11 nm

STEM DF image : 0.136 nm
STEM BF image : 0.136 nm

Type : Schottky, ZrO/W(100) emitter
Tension d'accélération : 60 à 200 kV
Angle d’inclinaison de l’échantillon : TX (avec porte-échantillon inclinable) ±80°

Analyse dispersive en énergie (EDS), spectroscopie par perte d'énergie d’électron (EELS), système automatique de transfert multi-échantillons, système de contrôle intégré MET (centre d’automatisation), système de tomographie MET/STEM

Les caractéristiques de ce produit peuvent changer sans notification.