Quelques exemples d’acquisitions pour les applications semi-conducteurs
Imagerie par contraste de tension par MEB : SE basse énergie (avec le détecteur UID)
Le contraste de tension (VC) est un contraste qui se produit dans l’image MEB par la différence de conductivité à la surface du dispositif semi-conducteur. Par exemple, si un défaut survient dans une fiche tungstène, la fiche défectueuse présente un contraste différent de la fiche normale. Cela peut être utilisé pour localiser le défaut.
Échantillon : semiconducteur après séparation de la SRAM. Tension d ’accélération : 1 kV.
SEPC (secondary electron potential contrast)
Combinaison de basse tension (1,5 kV) et fort courant (30 nA) pour révéler les zones dopées : P zone & N zone directement après la coupe sans préparation spécifique supplémentaire.
À gauche : détecteur BED chambre. À droite : détecteur UED lens.
Analyse élémentaire par SEM
Un seul constructeur donc une seule interface, un seul PC, et un seul interlocuteur pour vous !
Intégration MEB-EDS
EDS via détecteur SDD avec fenêtre JEOL 30, 60 ou 100 mm² :
Cartographie de la zone d’analyse sélectionnée :
EDS haute résolution via détecteur SDD sans fenêtre Gather-X :
Métrologie / Contrôle qualité / Lithographie
Métrologie logiciel experts de GenISys
ProSEM et InSPEC intégrable dans le processus d’analyse des échantillons :
Contrôle qualité
- Résolution sub-nanométrique même sur échantillon tilté à 70° et sans décélération de faisceau
- Courant disponible à toutes les tensions pour l’EDS et l’imagerie (valeurs garanties : 100 nA @ 5 Kv & 500 nA @ 30 kV)
Lithographie
- 30 kV
- Beam Blanker dans la colonne avec cage de faraday
- Taille de faisceau <1,5 nm
- Largeur ligne : <9 nm
- Vitesse écriture : 20 MHz
- Dwell time pas min : 1 ns
- Correction des effets de proximité
- Possible aussi sur notre nouveau FIB : PS500i
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